دانلود فناوری نانو در صنعت لاستیک

فناوری نانو در صنعت لاستیک تحقیق با موضوع فناوری نانو در صنعت لاستیک

دسته بندی	مکانیک
فرمت فایل	pptx
حجم فایل	513 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	20

این محصول پاورپوینتی 20 اسلایدی با موضوع فناوری نانو در صنعت لاستیک می باشد

دانلود پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری

پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری رار است نانوتکنولوژی یکی از فناوریهای کلیدی و کارآمد قرن 21 شود قابلیت اقتصادی آن، حاکی از وجود بازاری بالغ بر چندصد میلیارد یورو برای این فناوری در دهة بعد است

دسته بندی	برق
فرمت فایل	doc
حجم فایل	129 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	45

پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری

چکیده

قرار است نانوتکنولوژی یکی از فناوریهای کلیدی و کارآمد قرن 21 شود. قابلیت اقتصادی آن، حاکی از وجود بازاری بالغ بر چندصد میلیارد یورو برای این فناوری در دهة بعد است. بنابراین نانوتکنولوژی موجب جهت‌دهی فعالیتهای بسیاری از بخشهای صنعتی و تعداد زیادی از شرکتها در جهت آماده‌سازی آنها برای این رقابت جدید شده است. در همین زمان دولتمردان در بخشهای تحقیق و توسعه در سراسر دنیا نیز در حال اجرای برنامه‌های تحقیقاتی خاص در زمینة نانوتکنولوژی هستند تا آیندة کشورهای خود را به وضعیتی مطلوب برسانند. هدف این مقاله، استفاده از شاخصهای تکنولوژیکی و علمی برای پیش‌بینی پیشرفت اقتصادی و مقایسة وضعیت کشورهای مختلف است.

1- مقدمه

علوم نانو در دو دهه گذشته، پیشرفت بزرگی حاصل کرده است. ما شاهد کشفیات علمی و پیشرفتهای تکنولوژیکی مهمی بوده‌ایم. به عنوان مثال، این پیشرفتها شامل اختراع میکروسکوپ تونل‌زنی پیمایشگر  (STM) در سال 1982 ]1[ یا کشف فولرینها در سال 1985 می‌باشد]2[. در حال حاضر تعداد اندکی از محصولات مبتنی بر نانوتکنولوژی به استفادة تجاری رسیده‌اند. با این وجود، آیا دانش واقعی علمی، جوابگوی اشتیاق جهانی نسبت به این فناوری هست ؟ تا چه حد احتمال دارد که بازار جهانی در طی 10 تا 15 سال آینده به هزار میلیارد دلار در سال برسد]3[؟

ارزیابی قابلیت فناوریهای تکامل یافته کار آسانی نیست و برای یک فناوری جدید مثل نانوتکنولوژی، این کار دشوارتر است. البته در پیش‌بینی سعی می‌شود از شاخصهایی استفاده شود که توانشان در پیش‌بینی قابلیت دیگر فناوریهای جدید به اثبات رسیده باشد. دو تا از واضح‌ترین شاخصهای پیش‌بینی، تعداد مقاله‌های علمی و تعداد اختراعات ثبت شده هستند. اولی معمولاً شاخص خوبی برای فعالیتهای علمی و دومی برای قابلیت انتقال نتایج علمی به کاربردهای عملی است. شکل 1 تکامل تدریجی انتشارات و اختراعات نانوتکنولوژی از شروع دهة 1980 تا 1998 را نشان می‌دهد. اطلاعات انتشارات جهانی نانوتکنولوژی از داده‌های Science Citation Index (SCI) اقتباس شده است. اختراعات نانو، آنهایی هستند که در European Patent Office (EPO)  در مونیخ ثبت شده‌اند. اختراعاتEPO داده‌های بسیاری از کشورها را در بر می‌گیرد. از نظر گسترة کار و هزینة بالا، منطقی به نظر می‌رسد که مخترعین از اختراعات به صورت تجاری بهره‌برداری کنند. لیستی از کلمات کلیدی علوم و فناوری نانو جهت دستیابی به انتشارات، اختراعات و روشها منتشر شده‌است]4[.

تعداد انتشارات در سالهای 1980 و 1985 نسبتاً اندک است، اما در سالهای بعد سیر صعودی می‌یابد و از سال 1986 به بعد سرعت افزایش آنها محسوس می‌باشد. این تغییر ناگهانی را می‌توان به اختراع میکروسکوپ تونل‌زنی پیمایشگر در چند سال قبل از آن]1[، آغاز حضور وسایل تحقیقاتی مفید در آزمایشگاههای تحقیقاتی، دانشگاهی و صنعتی و نیز توجه تحقیقات به سوی مقیاس نانو نسبت داد. افزایش سرعت انتشار مقالات همچنان ادامه پیدا کرده و سیر صعودی آنرا می‌توان ناشی از دسترسی به میکروسکوپ نیروی اتمی که گسترة کاربرد وسیعتری نسبت به STM در مواد غیرهادی دارد (اختراع در سال 1986 ]5[) و نیز کشف مولکول C60 در سال 1985 ]2[ و یا نانولوله‌های کربنی در سال 1991 ]6[ دانست. افزایش تعداد انتشارات در بازة زمانی 1989 تا 1998 بسیار چشمگیر است؛ جهش از 1000 مقاله تا بیش از 12000 مقاله در سال 1998.

میانگین رشد سالانه معادل 27 درصد بوده و رشد سالیانه از 10 تا 80 درصد در نوسان است. اطلاعات بدست آمده از دفتر ثبت اختراعات ایالات متحده]7[ نیز رشدی مشابه با اطلاعات اروپا نشان می‌دهد.

تعداد اختراعات ثبت شده، شاخص‌ مناسبی برای اندازه‌گیری ظرفیت آزمایشگاهها جهت انتقال نتایج تحقیقات به مصارف صنعتی می‌باشد. شکل (1) بیانگر گسترش تعداد اختراعات نانوتکنولوژی در EPO و انتشارات علمی در یک دوره یکسان می‌باشد. به طور معمول، تعداد اختراعات پیرو الگوی انتشارات علمی، البته با تأخیر زمانی محسوسی می‌باشد. منحنی فوق در تمام سالهای 1981 تا 1998 رشد مشخص 28 تا 180 عددی اختراعات را با ضریب رشد %7 در دهة 90 نشان می‌دهد. منحنی اختراعات نوسانات بیشتری را نسبت به منحنی انتشارات نشان می‌دهد. این امر به این علت است که هرگاه تعداد داده‌ها کمتر باشد، نوسانات آماری تاثیرات بیشتری بر روی آنها می‌گذارد. به علاوه پیشرفتهای صنعتی در هر سال تأثیر بیشتری بر روی اختراعات دارد.

تکامل فعالیتهای تکنولوژیکی و علمی نانوتکنولوژی را می‌توان با فناوریهای قبلی مقایسه کرد. در وهلة اول می‌توان از مدل توسعه تکنولوژیکی عمودی (Lineal) استفاده کرد. گراپ]8[، برای چنین مدلی که در شکل (2) به آن اشاره شده است، هشت مرحله را ارائه داده و تکامل از تحقیقات بنیادی تا ورود آن به تولیدات را تشریح نموده است. مرحلة (1) زمان شروع کار تحقیقاتی علمی را نشان می‌دهد. هنگامی که فناوری شروع به ظاهر شدن می‌کند، پیشرفت بیشتری در علوم مشاهده می‌شود (مرحله 2). در مرحلة (3) درک اصول علمی بیشتر شده و اولین نمونه‌های تکنولوژیکی ظاهر می‌گردند.

در مرحلة 4 مشکلات انتقال فناوری به کاربردهای تجاری نمایان می‌شود و در مرحلة 5 پیشرفت در علوم و فناوری راکد می‌ماند. با جهت‌دهی مجدد تحقیقات صنعتی، فرصتهای جدیدی ظاهر می‌شود (مرحله 6) و استفاده‌های تجاری که باعث شروع تحقیقات هزینه‌بر صنعتی می‌شود آشکار می‌گردد (مرحله 7). نهایتاً ورود به تمام بازارها انجام شده و با تولید محصولات حاصل از اختراعات، میزان تحقیقات انک اندک کاهش می‌یابد (مرحلة 8).

جدول 1: انتشارات و اختراعات 15 کشور فعال در این زمینه. داده‌ها به صورت درصد نسبت به کل رقم جهانی داده شده‌اند. دورة انتشارات نانوتکنولوژی بین سال‌های 1997 تا 1999 با هم مقایسه شده‌اند. در مورد اخترعات ثبت شده در EPO و PCT این دوره از سال‌های 1991 تا 1999 را نیز در بر می‌گیرد. دلیل انتخاب این مدت زمان این است که تعداد مطلق اختراعات سالیانه اندک است و در صورت انتخاب زمانهای کوتاهتر، بررسیها دچار اشکال می‌شود. منابع: داده‌های PCTPAT, PCT, EPAT, SCI و محاسبات شخصی.
		انتشارات  (1997 – 1999) (%)			اختراعات EPO & PCT  (1991- 1999) (%)
	1		آمریکا	7/23		آمریکا	0/42
	2		ژاپن	5/12		آلمان	3/15
	3		آلمان	7/10		ژاپن	6/12
	4		چین	3/6		فرانسه	1/9
	5		فرانسه	3/6		انگلیس	7/4
	6		انگلیس	4/5		سوئیس	7/3
	7		روسیه	6/4		کانادا	0/2
	8		ایتالیا	6/2		بلژیک	7/1
	9		سوئیس	3/2		هلند	7/1
	10		اسپانیا	1/2		ایتالیا	7/1
	11		کانادا	8/1		استرالیا	4/1
	12		کرة جنوبی	8/1		اسرائیل	1/1
	13		هلند	6/1		روسیه	1/1
	14		هند	4/1		سوئد	9/0
	15		سوئد	4/1		اسپانیا	5/0

 چنین مدلی که براساس شاخصهای اختراعات و انتشارات می‌باشد و زمانی که از آن برای بررسی فناوریهای رایج امروزی مانند بیوتکنولوژی یا فناوری میکروسیستمها استفاده ‌شود، نتایج خوبی در برخواهد داشت]9[.

 با مقایسة اطلاعات مربوط به اختراعات و انتشارات نانوتکنولوژی (شکل 1) با مدل (شکل2)  مشخص می‌شود که نانوتکنولوژی به طورکلی فعلاً در انتهای مرحلة (2) یا ابتدای مرحلة (3) می‌باشد. با فرض اینکه این مدل، اطلاعات را به درستی تشریح نماید، حداکثر فعالیت علمی در علوم نانو در 3 تا 5 سال آینده خواهد بود؛ بهره‌برداری عظیم از نتایج آن ممکن است تا 10 سال دیگر به طول انجامد. در یک تخمین اولیه، منحنی نانوتکنولوژی (به عنوان مجموع تمام فناوریهای مقیاس نانو) می‌تواند به عنوان حلقة ارتباط تعدادی از فناوریهای نانو با اهداف و زمان رشد مختلف در نظر گرفته شود. به عنوان مثال، بازاری بزرگ برای وسایل الکترونیکی نانومتری پیش‌بینی می‌شود، ولی ممکن است 1 تا 15 سال تا ورود آنها به بازار، زمان نیاز باشد، هرچند هم‌اکنون نانوذرات TiO₂ به صورت مواد جاذب اشعة UV-B  در کرمهای ضد آفتاب یا نانومواد کربنی برای افزایش مقاومت لاستیکها، مورد استفاده قرار می‌گیرند.

هم اکنون حدوداً بیش از یک چهارم تمام اختراعات بر روی وسایل و ابزارآلات متمرکز شده است]7[. این امر نشان‌دهندة این دیدگاه است که نانوتکنولوژی در ابتدای مرحله توسعه فناوری قرار دارد که اولین هدف آن توسعه ابزار مناسب برای نانوساختارسازی سطوح، تولید نانومواد، آنالیز نانواشیاء و غیره می‌باشد. از نظر بخش صنعتی، مهمترین فناوریها، فناوری اطلاعات(IT)، فناوری دارویی و شیمیایی است. برای بخش اول ابزار ذخیره‌سازی اطلاعات، صفحه‌های نمایش تخت یا کاغذهای الکترونیکی جزء اختراعات مهم محسوب می‌شوند. به علاوه، CMOS گسترش یافته، پردازش اطلاعات در مقیاس نانو و وسایل نمایش یا ذخیره‌سازی اطلاعات نیز جزء این زمینه محسوب می‌شوند. زیرا طبق اطلاعات انجمنهای مواد نیمه‌هادی و سایر پیش‌بینیها ]11و10[ پیچیدگی مداوم مراحل فناوری CMOS به زودی به محدوده نانومتری خواهد رسید. (پیش‌بینی می‌شود که ابعاد پردازشگرها در سال 2011 به 22 نانومتر برسد.) صنایع نیمه‌هادی با آگاهی از مشکلات آینده، تاکنون به تحقیق برای یافتن راه‌حلهایی جهت گسترش CMOS به مقیاس نانو و ساخت وسایل جدید در این مقیاس دست زده‌اند.

در مورد صنایع شیمیایی و دارویی، تعداد زیادی از اختراعات برای یافتن روشهای دارورسانی، تشخیصهای پزشکی، درمان سرطان و غیره به ثبت رسیده‌اند، که این اختراعات قسمت عظیمی از بازار آینده را در بر خواهند گرفت. اختراعات نانوتکنولوژی در بخشهای دیگر نظیر صنایع هوایی، صنایع ساخت، فرآوری مواد غذایی، اتومبیل‌سازی، پالایش نفت، بازرسی محیط زیست و غیره هرساله با رشد همراه است. اما تعداد مطلق آنها با توجه به عرصه‌های مورد بحث (ابزارسازی، فناوری اطلاعات، داروسازی و پزشکی) اندک است.

2- فعالان جهانی

بسیاری از کشورها در علوم و فناوری نانو فعالند. 15 کشوری که در زمینه انتشار و اختراع بسیار فعال هستند در جدول (1) ذکر شده‌اند. انتشارات ثبت شده طی سالهای 1999-1997 بر حسب کشورهای منتشر کننده تفکیک شده است. داده‌های اختراعات، دورة طولانی را از سال 1991 تا 1999 در بر گرفته و شامل اختراعات ثبت شده در EPO و PCT می‌باشد. اختراعات PCT در WIPO در ژنو جمع‌آوری شده و سپس می‌تواند به هر دفتر ثبت اختراعی در دنیا یا EPO ارسال گردد. اطلاعات متفاوت بین PCT و EPO در این جدول نیامده است. تجزیه و تحلیل مضاعف اختراعات بین‌المللیPCT، انحرافهای آن با تعداد اختراعات EPO اروپا را کاهش می‌‌دهد. به علاوه تعداد بیشتر اختراعات مورد بررسی، ضریب اطمینان آماری در مقایسه کشورها را بالاتر می‌برد.

 ایالات متحده، فعالترین کشور در تحقیقات نانو می‌باشد و حدوداً یک چهارم تمامی انتشارات را از آن خود کرده است. پس از آن ژاپن، آلمان، چین، فرانسه، انگلستان و روسیه قرار دارند. این هفت کشور دارای 70 درصد کل انتشارات علمی مربوط به نانوتکنولوژی در جهان می‌باشند. تمامی کشورهای عضو اتحادیه اروپا و برخی دیگر از کشورهای منتخب اتحادیه اروپا (غیر از لوکزامبورگ که هیچ دانشگاهی در آن وجود ندارد) جزو 50 کشور اول هستند. (که در این جدول نشان داده نشده‌اند.)

سهم چین و روسیه با توجه به حضور آنها در بانک اطلاعاتی SCI بسیار چشم‌گیر بوده و حاکی از حضور مشخص علوم نانو در تحقیقات آنها می‌باشد. جدول مشابهی نشانگر تعداد اختراعات در EPO بر حسب کشورها می‌باشد. مقایسه کشورهای فعال در امر انتشار با کشورهای فعال در امر اختراع، نشان دهنده این است که 15 کشور اول در هر دو مورد مشترکند. به هر حال دامنه اختلاف بین این کشورها مشخصاً وسیعتر می‌باشد، مثلاً انتشارات ایالات متحده 1619 برابر کشور پانزدهم یعنی سوئد می‌باشد، اما اختراعات ثبت شده‌اش 84 برابر این کشور است. 

فهرست

مقالة ویژه: پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری.. 1

مرکز جدید نانوتکنولوژی ارتش آمریکا 11

همکاری تایوان با کانادا در زمینة نانوتکنولوژی.. 14

گزارشی از شرکتهای نانوتکنولوژی ژاپن.. 16

تلاش برای توسعة نانوتکنولوژی در اروپا 18

سرمایه‌گذاری در نانوتکنولوژی.. 18

امتیازی برای ساخت حسگرهای زیستی.. 20

اولین نمایشگاه بین‌المللی نانوتکنولوژی در سوئیس.... 21

اندازه‌گیری؛ چالشی در نانوتکنولوژی.. 23

ذخیرة 250 ترابیت در یک اینچ مربع. 25

حسگرهای هیدروژنی جدید. 27

تولید هزاران کیلو نانوذرات در یک شرکت نانومواد. 28

دو موفقیت بزرگ در ترانزیستور تک سلولی.. 30

تهیة زیروژلهای کروموفوریک.... 32

توسعة کریستال فوتونیک.... 34

انستیتو نانوتکنولوژی نظامی.. 35

اختراع ابزار آشکارسازی DNA با درجة تفکیک بالا.. 42

دانلود مقاله درباره ضرورت و روش تدوین استراتژی نانوتکنولوژی برای فن‌آوری مخابرات الکترواپتیک کشور

مقاله درباره ضرورت و روش تدوین استراتژی نانوتکنولوژی برای فن‌آوری مخابرات الکترواپتیک کشور دانلود مقاله درباره ضرورت و روش تدوین استراتژی نانوتکنولوژی برای فناوری مخابرات الکتروابتیک کشور

دسته بندی	فیزیک
فرمت فایل	doc
حجم فایل	378 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	28

*مقاله درباره ضرورت و روش تدوین استراتژی نانوتکنولوژی  برای فن‌آوری مخابرات الکترواپتیک کشور*

چکیده

با توجه به افزایش تقاضا برای استفاده از سیستم‌های مختلف ارتباطی سریع و پر ظرفیت، سیستم مخابرات نوری بهترین انتخاب برای جوابگویی به این تقاضای روز افزون است. این سیستم‌ها در سرعت‌های بالا با استفاده از موجبرهای الکترواپتیک در ابعاد نانومتری ساخته می‌شوند. گرچه کشور ما در زمینه‌های مختلف علمی ممکن است از کشورهای پیشرفته عقب‌تر باشد، ولی شواهد حاکی از آن است که در زمینه اپتیک و لیزر فاصله ما با آنها بسیار کم است و با برنامه ریزی دقیق، خیلی سریع می‌توان با آنها رقابت کرد[1]. از طرفی تا سال 2000 هنوز کشورهای منطقه خاورمیانه سهمی در بازار بین المللی مخابرات نوری نداشتند و این منطقه بکر و خالی از رقیب داخلی باقی مانده‌است. ضمنا تا سال 2004 سهم این بازار حدود 100 میلیارد دلار برآورد شده، که رقم قابل توجهی است[2]. به‌عنوان مثال، فروش کریستال‌های غیرخطی که در مخابرات الکترواپتیک به‌کار می‌رود، رشدی سرسام آور دارد بطوری‌که در سال 2005 فروش 36 برابر فروش سال 2000 خواهد بود و به‌طور متوسط سالانه بیش از 90% افزایش رشد وجود خواهد داشت[2]. بنابراین تدوین استراتژی واحد، در کل کشور رمز موفقیت در این کار خواهد بود. در این مقاله ابتدا ضرورت تدوین استراتژی نانوتکنولوژی برای مخابرات الکترواپتیک بیان می‌شود، سپس  مدل جامع مدیریت استراتژیک و روش و مراحل تدوین استراتژی ارایه می‌شوند. در ادامه، نمونه‌ای از نقاط قوت و ضعف و فرصت‌ها و تهدیدها در زمینه فن‌آوری مخابرات الکترواپتیک و استراتژی‌های مرتبط و متناسب با آنها بیان می‌شود. در آخر راهکارها و پیشنهاداتی برای پیاده‌سازی در ایران ارایه خواهد شد.

مقدمه

ساده‌ترین تعریف از نانوتکنولوژی بیان می‌کند که این فن‌آوری قدرت سازماندهی، کنترل و ساخت در حد اتمی و مولکولی را فراهم می‌آورد. با این فن‌آوری جدید، انقلابی در زندگی بشر به‌وجود آمده و مواد و امکانات جدیدی در عرصه‌های مختلف علوم از جمله مخابرات، شیمی، مواد، بیوتکنولوژی و غیره ایجاد می‌شود. نانوتکنولوژی مبحث جدیدی نیست و از سالها پیش در زندگی بشر وجود داشته است، ولی قرن حاضر زمانی است که بشر توانسته آن را بهتر بشناسد و با رویکردی جدید، بیشتر از گذشته آن را تحت کنترل خود درآورد[3].

تکامل سیستم‌های شبکه اترنت((Ethernet از Mb/s 100 به Gb/s 1 و سپس Gb/s 10 سبب رشد خیلی سریع شبکه‌های محلی شده است. همزمان با آن الگوی ترافیکی به بیرون از ناحیه محلی و هسته شبکه منتقل شده است. پیشرفت شگرف تجهیزات الکترواپتیک از لحاظ قیمت و عملکرد باعث می‌شود تا شبکه‌های DWDM و سوییچهای الکترواپتیک جایگزین شبکه‌های عمومی(Public Network Sector) شوند. زیرا این سیستم الکترواپتیک قادر است، سرعت قسمت پشتیبان (Backbone) شبکه IP را تا حد تراهرتز (1012 Hz) با هزینه کمتر، افزایش دهد[3]. لازم به ذکر است، ایجاد سیستم‌های نوری سرعت بالا، تنها با استفاده از مدولاتورها و سوییچهای الکترواپتیکی یا تمام نوری امکان پذیر است. زیرا افت سیگنال انتقال داده شده با کابلهای نوری نیز، مانند سایر محیط‌های انتقال، در مسافت‌های طولانی بسیار زیاد شده و باعث محو سیگنال و عدم دریافت آن می‌شود. برای جلوگیری از این مسأله، باید سیگنال اطلاعات در فرکانسهای بالا مدوله شود و این کار با استفاده از مدولاتورهای نوری امکان پذیر است. در میان مدولاتورهای نوری نیز مدولاتورهای الکترواپتیکی ماخ زندر بهترین کیفیت را دارا هستند. ساخت این مدولاتورها، نیازمند تجهیزات لایه نشانی و اتاق‌های تمیز با کلاس بالا (کمتر از 1000) است. لایه نشانی‌های لازم برای ساخت این مدولاتور و ادوات جانبی آن که مهم‌ترین بخش در سیستم‌های نوری محسوب می‌شوند، دقتی در حد نانومتر و آنگستروم را می‌طلبد. حتی در لایه نشانی با روش‌های تعویض پروتون و اپیتکسی، اتم‌ها با آرایش مناسب، تک به تک در کنار هم چیده ‌می‌شوند. به همین علت است که نانوتکنولوژی در صحنه مخابرات نوری وارد شده است. برای ساخت مدولاتور نوری از بستری به نام لیتیوم نایوبیت استفاده می‌شود. این ماده یک کریستال غیرایزوتروپیک است که ضریب ‌شکست آن با اعمال ولتاژ الکتریکی بر روی آن تغییر می‌کند. از این خاصیت برای مدولاسیون نور در آن استفاده می‌کنند[5]. در بخش‌های دیگر این مقاله در زمینه میزان فروش و سهم بازار لیتیوم نایوبیت و دیگر تجهیزات مخابرات الکترواپتیکی، مطالبی مطرح خواهد شد که بر ضرورت تدوین استراتژی در این صنعت تاکید خواهد کرد. 

دانلود پاورپوینت انسان- طبیعت- معماری (نانو)

پاورپوینت انسان- طبیعت- معماری (نانو) پروژه نانو و فناوری های نانو

دسته بندی	معماری
فرمت فایل	pptx
حجم فایل	4825 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	45

تاریخچه نانوتکنولوژی، تعریف نانو، معرفی مواد نانوکامپوزیت، نحوه عملکرد نانوکامپوزیت، HPC بتن با عملکرد بالا، معرفی نانوسیلیس آمورف، نانوذرات رس، نانوذرات اکسیدآهن یا هماتیت، نانوذرات دی اکسید تیتانیوم، حسگرها، افزونه نانو در فولاد و سیمان، نانو لوله ها، نانو پوشش های سنگ و چوب، افزونه نانو در شیشه، نانو عایق پتویی

دانلود بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ

بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده­ای بالا رفته است

دسته بندی	پلیمر
فرمت فایل	docx
حجم فایل	3825 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	93

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده­ای بالا رفته است. گوردن مور[1] معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه­ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می­رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می­شود [1]. این کوچک شدگی نگرانی­هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می­کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد [2].جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه­ ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو[2] معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله­ های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده­اند [3و4].

در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله­ های کربنی پرداخته ­ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله­ های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه­ های نسل آینده را خواهند گرفت [5و6].

فهرست مطالب:

 مقدمه.. 1

فصل اول.. 3

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن.. 3

1-1 مقدمه.. 3

1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت.. 4

1-2-1 کربن بیشکل.. 4

1-2-2 الماس.. 4

1-2-3 گرافیت.. 5

1-2-4 فلورن و نانو لولههای کربنی.. 5

1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید - نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی.. 8

فصل 2.. 11

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی.. 11

2-1 مقدمه.. 11

2-2 ساختار الکترونی کربن.. 12

2-2-1 اربیتال p2 کربن.. 12

2-2-2 روش وردشی.. 13

2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن.. 15

2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ی کربنی.. 19

2-3-1 ساختار هندسی گرافیت.. 19

2-3-2 ساختار هندسی نانولوله های کربنی.. 22

2-4 یاخته ی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی.. 26

2-4-1 یاخته ی واحد صفحهی گرافیت.. 26

2-4-2 یاخته واحد نانولوله ی کربنی.. 27

2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی.. 29

2-5-1 مولکولهای محدود.. 29

2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت.. 31

2-5-3 ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی.. 33

2-5-4 چگالی حالات در نانولوله ی کربنی.. 37

2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحه ی گرافیت و نانولوله های کربنی 38

2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطه ی پاشندگی فونونی برای صفحه ی گرافیت 39

2-6-2 رابطه ی پاشندگی فونونی برای نانولوله های کربنی.. 46

فصل 3.. 48

پراکندگی الکترون فونون.. 48

3-1 مقدمه.. 48

3-2 تابع توزیع الکترون.. 49

3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل.. 53

3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون.. 56

3-6 ضرورت تعریف روال واگرد.. 59

فصل 4.. 62

بحث و نتیجه گیری.. 62

4-1 مقدمه.. 62

4-2 نرخ پراکندگی.. 62

4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی.. 64

4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون 66

4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا.. 66

4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا 68

4-4-3 بررسی مقاومت نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا.. 68

4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا 69

نتیجه گیری.. 71

پیشنهادات.. 72

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد... 73

منابع.. 75

چکیده انگلیسی.. 78

 فهرست شکل­ها

شکل1-1. گونه­ های مختلف کربن6

شکل 1-2. ترانزیستور اثر میدانی9

شکل 1-3. ترانزیستور نانولوله­ ی کربنی10

شکل 2-1. اربیتال . 15

شکل 2-2. هیبرید . 17

شکل 2-3. ساختار . 18

شکل 2-4. شبکه گرافیت21

شکل 2-5. یاخته­ی واحد گرافیت21

شکل2-6. یاخته­ی واحدنانولوله­ ی کربنی23

شکل 2-7. گونه­ های متفاوت نانولوله­ های کربنی25

شکل 2- 8. تبهگنی خطوط مجاز در نانولوله­ ی کربنی36

شکل 2-9. مؤلفه های ماتریس ثابت نیرو43

 فهرست جدول­ها

 جدول 2-1 عناصر ماتریس ثابت نیرو43

 فهرست نمودارها

  نمودار 2-1. نوار انرژی الکترونی گرافیت33

نمودار 2-2. نوار انرژی الکترونی نانولوله­ ی کربنی36

نمودار 2-3. چگالی حالات در نانولوله­ ی کربنی38

نمودار 2-4. نوار سه بعدی انرژی فونونی گرافیت45

نمودار 2-5. نوار انرژی فونونی در راستای خطوط متقارن منطقه اول بریلوئن45

نمودار 2-6. نوار انرژی فونونی نانولوله­ ی کربنی47

نمودار 3-1. سطح فرمی در نانولوه­ه ای کربنی54

نمودار 3-2. منطقه­ی تکرار شونده در نانولوله­ های کربنی60

نمودار 3-3. نقاط متقارن در مسئله پراکندگی61

نمودار 4-1. نرخ پراکندگی در دو نانولوله­ ی زیگزاگ و 63

نمودار 4-2. وابستگی دمایی نرخ پراکندگی63

نمودار4-3. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی نانولوله­ ی 64

نمودار4-4. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی نانولوله­ ی65

نمودار 4-5. وابستگی سرعت میانگین الکترون به دما در نانولوله­ ی کربنی67

نمودار 4-6.توزیع سرعت در نانولوله­ های زیگزاگ67

نمودار 4-7. نمودار جریان – ولتاژ در مورد نانولوله­ های زیگزاگ68

نمودار 4-8. مقاومت نانولوله­ های مختلف ­69

فهرست پیوست­ها

 پیوست الف: توضیح روال واگرد73

چکیده انگلیسی78